三极管5610参数是什么?

1、直流参数  
(1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级.  
(2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo  o  Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大.  
(3)发射极---基极反向电流Iebo  集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流.  
(4)直流电流放大系数β1(或hEF)  这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即:  
β1=Ic/Ib  
2、交流参数  
(1)交流电流放大系数β(或hfe)  这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比,即:  
β=  △Ic/△Ib  
一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定.  
(2)共基极交流放大系数α(或hfb)  这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比,即:  
α=△Ic/△Ie  
因为△IcBVceo,管子就会被击穿.  
(5)集电极最大允许耗散功率PCM  集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM.管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc

三极管5610，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，  也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

三极管：
名  称    封装  极性  功  能  耐  压  电  流  功  率  频  率配对管
D633  28  NPN  音频功放开关  100V  7A  40W  达林顿
9013  21  NPN  低频放大  50V  0.5A  0.625W  9012
  9014  21  NPN  低噪放大  50V  0.1A  0.4W  150HMZ  9015
  9015  21  PNP  低噪放大  50V  0.1A  0.4W  150MHZ  9014
  9018  21  NPN  高频放大  30V  0.05A  0.4W  1000MHZ
  8050  21  NPN  高频放大  40V  1.5A  1W  100MHZ  8550
  8550  21  PNP  高频放大  40V  1.5A  1W  100MHZ  8050
  2N2222  21  NPN  通用  60V  0.8A  0.5W  25／200NS
  2N2369  4A  NPN  开关  40V  0.5A  0.3W  800MHZ
  2N2907  4A  NPN  通用  60V  0.6A  0.4W  26／70NS
  2N3055  12  NPN  功率放大  100V  15A  115W  MJ2955
  2N3440  6  NPN  视放  开关  450V  1A  1W  15MHZ  2N6609
  2N3773  12  NPN  音频功放开关  160V  16A  50W
  2N3904  21E  NPN  通用  60V  0.2A
  2N2906  21C  PNP  通用  40V  0.2A
  2N2222A  21铁  NPN  高频放大  75V  0.6A  0.625W  300MHZ
  2N6718  21铁  NPN  音频功放开关  100V  2A  2W