怎样用万用表检测三极管?

万用表测三极管通常我们要用R×1kΩ档，不管是NPN管还是PNP管，不管是小功率、中功率、大功率管，测其be结cb结都应呈现与二极管完全相同的单向导电性，反向电阻无穷大，其正向电阻大约在10K左右。
对于常见的进口型号的大功率塑封管，其c极基本都是在中间。中、小功率管有的b极可能在中间。
希望可以帮助你

你好很高兴为你解答，据我所知，科学符号请注意大小写.    Hfe是表示晶体管的直流放大倍数。    hfe是表示晶体管的交流放大倍数。    万用表中没有阶梯波信号发生器也没交流毫伏表，当然不能测hfe.    但厂家模拟晶体管直流放大器电路原理提供了一个侧Hfe的装置，也只能测小功率晶体管。希望我的回答能帮助你。望采纳。

用万用表检测三极管的方法：
把用表万用表转到欧姆档×10K位置。用红色表笔固定在三极管的任一个极上，黑色表笔分别测其余两极，这时可能会有两种情况：
1、如果指针都有指示(阻值很小)，这个就是PNP结构的三极管，用红色表接的就是基极，这时把红色和黑色表笔互换(即黑色表笔固定接基极)，红色表笔分别测其余两极，其中一个指针有轻微指示的(阻值较大)，就是发射极，没有任何读数(阻值无穷大)，的那个极就是集电极。(即PNP结构的三极管，红色笔接基极，黑色笔接发射极或集电极都是接近通路，互接接法接近开路。)
2、如果其中一个指针有轻微指示的另一个没有，这个就是NPN结构的三极管，用红色表接的就是基极，有轻微指示的(阻值较大)，就是发射极，没有指示(阻值无穷大)就是集电极。
(即NPN结构的三极管，红色笔接基极，黑色笔接发射极或集电极都是接近开路，互接接法接近通路。)
希望我的回答对你有帮助。

1.三极管电极和管型的判别
　　(1)  目测法
　　①  管型的判别
　　  一般，管型是NPN还是PNP应从管壳上标注的型号来辨别。依照部颁标准，三极管型号的第二位(字母)，A、C表示PNP管，B、D表示NPN管，例如：
　　3AX  为PNP型低频小功率管  3BX  为NPN型低频小功率管
　　3CG  为PNP型高频小功率管  3DG  为NPN型高频小功率管
　　3AD  为PNP型低频大功率管  3DD  为NPN型低频大功率管
　　3CA  为PNP型高频大功率管  3DA  为NPN型高频大功率管
　　此外有国际流行的9011～9018系列高频小功率管，除9012和9015为PNP管外，其余均为NPN型管。
　　②  管极的判别
　　常用中小功率三极管有金属圆壳和塑料封装(半柱型)等外型，图T305介绍了三种典型的外形和管极排列方式。
　　(2)  用万用表电阻档判别  
　　三极管内部有两个PN结，可用万用表电阻档分辨e、b、c三个极。在型号标注模糊的情况下，也可用此法判别管型。  
　　①  基极的判别
　　  判别管极时应首先确认基极。对于NPN管，用黑表笔接假定的基极，用红表笔分别接触另外两个极，若测得电阻都小，约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大，在几百千欧以上，此时黑表笔接的就是基极。PNP管，情况正相反，测量时两个PN结都正偏的情况下，红表笔接基极。
　　实际上，小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间，可用上述方法，分别将黑、红表笔接基极，既可测定三极管的两个PN结是否完好(与二极管PN结的测量方法一样)，又可确认管型。  
　　②  集电极和发射极的判别
　　确定基极后，假设余下管脚之一为集电极c，另一为发射极e，用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。同时，将万用表两表笔分别与c、e接触，若被测管为NPN，则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极(PNP管相反)，观察指针偏转角度；然后再设另一管脚为c极，重复以上过程，比较两次测量指针的偏转角度，大的一次表明IC大，管子处于放大状态，相应假设的c、e极正确。
2．三极管性能的简易测量  
　　  (1)  用万用表电阻档测ICEO和β  
　　基极开路，万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极e(PNP管相反)，此时c、e间电阻值大则表明ICEO小，电阻值小则表明ICEO大。
　　用手指代替基极电阻Rb，用上法测c、e间电阻，若阻值比基极开路时小得多则表明  β值大。  
　　(2)  用万用表hFE档测β
　　有的万用表有hFE档，按表上规定的极型插入三极管即可测得电流放大系数β，若β很小或为零，表明三极管己损坏，可用电阻档分别测两个PN结，确认是否有击穿或断路。  
　　3．半导体三极管的选用  
　　  选用晶体管一要符合设备及电路的要求，二要符合节约的原则。根据用途的不同，一般应考虑以下几个因素：工作频率、集电极电流、耗散功率、电流放大系数、反向击穿电压、稳定性及饱和压降等。这些因素又具有相互制约的关系，在选管时应抓住主要矛盾，兼顾次要因素。
　　低频管的特征频率fT一般在2.5MHz以下，而高频管的fT都从几十兆赫到几百兆赫甚至更高。选管时应使fT为工作频率的3～10倍。原则上讲，高频管可以代换低频管，但是高频管的功率一般都比较小，动态范围窄，在代换时应注意功率条件。  
　　  一般希望β选大一些，但也不是越大越好。β太高了容易引起自激振荡，何况一般β高的管子工作多不稳定，受温度影响大。通常β多选40～100之间，但低噪声高β值的管子(如1815、9011~9015等)，β值达数百时温度稳定性仍较好。另外，对整个电路来说还应该从各级的配合来选择β。例如前级用β高的，后级就可以用β较低的管子；反之，前级用β较低的，后级就可以用β较高的管子。  
　　集电极-发射极反向击穿电压UCEO应选得大于电源电压。穿透电流越小，对温度的稳定性越好。普通硅管的稳定性比锗管好得多，但普通硅管的饱和压降较锗管为大，在某些电路中会影响电路的性能，应根据电路的具体情况选用，选用晶体管的耗散功率时应根据不同电路的要求留有一定的余量。
　　对高频放大、中频放大、振荡器等电路用的晶体管，应选用特征频率fT高、极间电容较小的晶体管，以保证在高频情况下仍有较高的功率增益和稳定性。